三靶磁控濺射技術(shù)的特點(diǎn)
1. 高純度
三靶磁控濺射技術(shù)可以在真空條件下進(jìn)行，避免了薄膜中雜質(zhì)的污染，從而可以制備高純度的薄膜。
2. 復(fù)雜薄膜的制備
三靶磁控濺射技術(shù)可以同時(shí)利用三種不同材料制備出具有復(fù)雜組成的薄膜，這在傳統(tǒng)的濺射技術(shù)中是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。
3. 微納結(jié)構(gòu)的制備
三靶磁控濺射技術(shù)可以控制薄膜的成分和結(jié)構(gòu)，從而可以制備出具有特定微納結(jié)構(gòu)的薄膜。
4. 生產(chǎn)效率高
三靶磁控濺射技術(shù)具有生產(chǎn)效率高的優(yōu)點(diǎn)，可以在較短時(shí)間內(nèi)制備出大面積的高質(zhì)量薄膜。
優(yōu)點(diǎn)
1. 應(yīng)用范圍廣
三靶磁控濺射技術(shù)可以制備出多種材料的薄膜，包括金屬、氧化物、氮化物、硅等，因此在電子、光電、信息、材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
2. 薄膜性能優(yōu)異
三靶磁控濺射技術(shù)制備的薄膜具有優(yōu)異的物理、化學(xué)性質(zhì)，例如高硬度、高粘附力、高抗腐蝕性、高導(dǎo)電性、高光學(xué)透明性等，因此在各種應(yīng)用中具有重要作用。
3. 制備過(guò)程可控性高
三靶磁控濺射技術(shù)可以控制濺射能量、壓力、溫度等多個(gè)參數(shù)，從而可以**控制薄膜的成分和微納結(jié)構(gòu)，滿足不同應(yīng)用的要求。
4. 適應(yīng)性強(qiáng)
三靶磁控濺射技術(shù)可以在不同基底上進(jìn)行制備，包括硅、玻璃、陶瓷、金屬等，因此具有較強(qiáng)的適應(yīng)性和靈活性。